天玑8100+独显芯片!realme GT Neo3正面首度公布
发布时间:2022-03-19 15:27:50 所属栏目:产品 来源:互联网
导读:据此前消息,realme GT Neo3将于3月22日正式发布,在经过多轮预热之后,官方终于公开了该机的正面造型。 根据realme中国区总裁徐起公布的实拍图,realme GT Neo3将采用居中打孔屏幕方案,且边框控制的非常出色。 值得注意的是,该机也是realme首次采用居中
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据此前消息,realme GT Neo3将于3月22日正式发布,在经过多轮预热之后,官方终于公开了该机的正面造型。 根据realme中国区总裁徐起公布的实拍图,realme GT Neo3将采用居中打孔屏幕方案,且边框控制的非常出色。 值得注意的是,该机也是realme首次采用居中打孔,此前多为左上角开孔。 据此前消息,该机最大的亮点就是将搭载天玑8100芯片+独显芯片的双芯组合,以及全球首发150W光速秒充技术。 其中,独立显示芯片能够分担性能芯片的GPU渲染工作,通过MEMC运动补偿技术,计算出游戏原始两帧画面之间的过度画面,增加过度帧,由此来提升游戏画面整体帧率。 有了独立显示芯片的运作,游戏画面能稳定在高帧率的同时,减少性能芯的功耗,一举两得。 至于150W闪充技术则采用UDCA光速秒充架构,其采用并联多路电荷泵方式增加充电电流,以更低转化损耗、更低电阻、更低温度实现150W大功率闪充。 根据徐起日前晒出的截图显示,realme GT Neo3能在150秒成功冲破电量红区,从1%充电到超过25%电量,号称能颠覆日常充电体验。 (编辑:黄山站长网) 【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容! |
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